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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP6N60ET | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP6N60EU | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| MTP6N60EU2 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP6N60EUA | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| MTP6N60EW | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| MTP6N60EWC | MOTOROLA |
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6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP6P20E | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM |
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| MTP6P20E | ONSEMI |
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是功率MOSFET设计，高能量的雪崩和减刑模式。 |
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| MTP6P20E16 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP6P20EA | MOTOROLA |
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6A, 200V, 1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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