5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP6N60EAF | MOTOROLA |
获取价格 |
6 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP6N60EAJ | MOTOROLA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MTP6N60EC | MOTOROLA |
获取价格 |
6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP6N60EL | MOTOROLA |
获取价格 |
6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP6N60EN | MOTOROLA |
获取价格 |
6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP6N60ES | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MTP6N60ET | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MTP6N60EU | MOTOROLA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MTP6N60EU2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MTP6N60EUA | MOTOROLA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
