5秒后页面跳转
MTP35N06ZL PDF预览

MTP35N06ZL

更新时间: 2024-02-13 19:05:35
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 72K
描述
35A, 60V, 0.026ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

MTP35N06ZL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED雪崩能效等级(Eas):184 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):35 A
最大漏极电流 (ID):35 A最大漏源导通电阻:0.026 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:94 W
最大功率耗散 (Abs):94 W最大脉冲漏极电流 (IDM):105 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MTP35N06ZL 数据手册

 浏览型号MTP35N06ZL的Datasheet PDF文件第2页 

与MTP35N06ZL相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MTP35W NELLSEMI Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier, 35A

获取价格

MTP35W_17 NELLSEMI Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier

获取价格

MTP36N06 MOTOROLA TMOS POWER FET 32 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.04 OHM

获取价格

MTP36N06E MOTOROLA Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

获取价格

MTP36N06E16 MOTOROLA 36A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

获取价格

MTP36N06EA MOTOROLA 36 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

获取价格