是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.14 | 其他特性: | LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | 最大漏极电流 (ID): | 10 A |
最大漏源导通电阻: | 0.2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 100 pF | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 75 W |
最大功率耗散 (Abs): | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 28 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 110 ns |
最大开启时间(吨): | 170 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTP10N08 | NJSEMI |
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N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V | |
MTP10N08L | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | |
MTP10N10 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V | |
MTP10N10 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTP10N10 | NJSEMI |
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IRF120-123/IRF520-523 MTP10N08/10N10 N-Channel Power MOSFETs | |
MTP10N10E | MOTOROLA |
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TMOS POWER FETs 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM | |
MTP10N10E | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail | |
MTP10N10E16 | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP10N10EA16A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTP10N10EAF | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |