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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTH6N55 | MOTOROLA |
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Power Field Effect Transistor |
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| MTH6N60 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field Effect Transistor |
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| MTH6N60FI | STMICROELECTRONICS |
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3.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| MTH6N85 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 850V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTH6N90 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTH7N45 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTH7N50 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTH800 | MICROSEMI |
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3 PHASE FULL WAVE BRIDGE RECTIFIER |
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| MTH8N35 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
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| MTH8N40 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
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