是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.3 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 80 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 25 A | 最大漏极电流 (ID): | 25 A |
最大漏源导通电阻: | 0.075 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 400 pF | JEDEC-95代码: | TO-218AC |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 150 W |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 105 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 450 ns |
最大开启时间(吨): | 510 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTH25N10 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
MTH25P05 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
MTH25P06 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
MTH25PO5 | MOTOROLA |
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Transistor | |
MTH25PO6 | MOTOROLA |
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Transistor | |
MTH25SEV-26.000MHZ | MMD |
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Oscillator | |
MTH302527AH | MMD |
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5 x 3.2 Ceramic SMD Oscillator | |
MTH302527AS | MMD |
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5 x 3.2 Ceramic SMD Oscillator | |
MTH302527H | MMD |
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5 x 3.2 Ceramic SMD Oscillator | |
MTH302527S | MMD |
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5 x 3.2 Ceramic SMD Oscillator |