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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.3 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 400 pF | JEDEC-95代码： | TO-218AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 105 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 450 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 510 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTH25N10 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MTH25P05 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| MTH25P06 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| MTH25PO5 | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
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| MTH25PO6 | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
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| MTH25SEV-26.000MHZ | MMD |
获取价格 |
Oscillator |
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| MTH302527AH | MMD |
获取价格 |
5 x 3.2 Ceramic SMD Oscillator |
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| MTH302527AS | MMD |
获取价格 |
5 x 3.2 Ceramic SMD Oscillator |
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| MTH302527H | MMD |
获取价格 |
5 x 3.2 Ceramic SMD Oscillator |
|
| MTH302527S | MMD |
获取价格 |
5 x 3.2 Ceramic SMD Oscillator |
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