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MTE2D4N06F3-0-T7-X

更新时间： 2024-09-19 01:20:11

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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9页	410K
描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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Spec. No. : C933F3

Issued Date : 2015.12.11

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 1/9

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

BVDSS

60V

60A

MTE2D4N06F3

ID @VGS=10V, TC=25°C

RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A

RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A

3.3mΩ

3.5mΩ

Features

• Simple Drive Requirement

• Fast Switching Characteristic

• RoHS compliant package

Symbol

Outline

MTE2D4N06F3

TO-263

G：Gate D：Drain S：Source

Ordering Information

Device

Package

TO-263

Shipping

800 pcs / Tape & Reel

MTE2D4N06F3-0-T7-X

(Pb-free lead plating and RoHS compliant package)

Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant

and green compound products

Packing spec, T7 : 800 pcs / tape & reel, 13” reel

Product rank, zero for no rank products

Product name

MTE2D4N06F3

CYStek Product Specification

12 3 4 5 6 7...9

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