是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.73 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE ENERGY RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 50 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 50 pF | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 58 ns | 最大开启时间(吨): | 64 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP10P6F6 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFETâ | |
IXFH58N20 | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFK48N50 | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTD6N10ET4 | ONSEMI |
获取价格 |
6A, 100V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
MTD6N10ET4 | MOTOROLA |
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6A, 100V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
MTD6N10T4 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
MTD6N15 | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM | |
MTD6N15 | ONSEMI |
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Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount | |
MTD6N15-1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount | |
MTD6N15-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
6A, 150V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 | |
MTD6N15T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount | |
MTD6N15T4G | ONSEMI |
获取价格 |
NâChannel EnhancementâMode Silicon Gate | |
MTD6N20E | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK |