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MTD6N10

更新时间: 2024-09-15 21:54:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 171K
描述
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE, DPAK FOR SURFACE MOUNT OR INSERTION MOUNT

MTD6N10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.69Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):6 A
最大漏极电流 (ID):6 A最大漏源导通电阻:0.25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):80 pF
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:20 W
最大功率耗散 (Abs):20 W最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):150 ns
最大开启时间(吨):200 nsBase Number Matches:1

MTD6N10 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTD6N10-1 MOTOROLA

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MTD6N10E MOTOROLA

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MTD6N10E ONSEMI

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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,6A I(D),TO-252AA
MTD6N10ET4 ONSEMI

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6A, 100V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD6N10ET4 MOTOROLA

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6A, 100V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD6N10T4 MOTOROLA

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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
MTD6N15 MOTOROLA

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TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM
MTD6N15 ONSEMI

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Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
MTD6N15-1 ONSEMI

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Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
MTD6N15-1 MOTOROLA

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6A, 150V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251