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MT9LSDT872 PDF预览

MT9LSDT872

更新时间： 2024-09-18 03:29:15
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 321K
描述
SYNCHRONOUS DRAM MODULE

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MT9LSDT872 数据手册

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ADVANCE  
8, 16 MEG x 72  
REGISTERED SDRAM DIMMs  
MT9LSDT872, MT9LSDT1672  
SYNCHRONOUS  
DRAM MODULE  
For the latest data sheet, please refer to the Micron Web  
site: www.micronsemi.com/datasheets/datasheet.html  
FEATURES  
• JEDEC-standard 168-pin, dual in-line memory  
module (DIMM)  
PIN ASSIGNMENT (FRONT VIEW)  
168-PIN DIMM  
• PC133- and PC100-compliant  
• Registered inputs with one-clock delay  
• Phase-lock loop (PLL) clock driver to reduce  
loading  
• Utilizes 133 MHz and 125 MHz SDRAM compo-  
nents  
• ECC-optimized pinout  
PIN SYMBOL PIN SYMBOL PIN SYMBOL PIN SYMBOL  
• 64MB (8 Meg x 72) and 128MB (16 Meg x 72)  
• Single +3.3V 0.3V power supply  
• Fully synchronous; all signals registered on  
positive edge of PLL clock  
• Internal pipelined operation; column address can  
be changed every clock cycle  
• Internal SDRAM banks for hiding row access/  
precharge  
• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page  
• Auto Precharge and Auto Refresh Modes  
• Self Refresh Mode  
1
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8
V
SS  
43  
44  
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53  
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56  
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58  
59  
60  
61  
62  
V
DNU  
S2#  
DQMB2  
DQMB3  
DNU  
SS  
85  
86  
87  
88  
89  
90  
91  
92  
93  
94  
95  
96  
97  
98  
99  
V
SS  
127  
128  
VSS  
CKE0  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
129 RFU (S3#)  
130  
131  
DQMB6  
DQMB7  
V
DD  
V
DD  
132 RFU(A13)  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
V
DD  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ40  
133  
134  
135  
136  
137  
138  
139  
140  
141  
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148  
149  
150  
151  
152  
153  
154  
155  
VDD  
NC  
NC  
CB6  
CB7  
NC  
9
NC  
CB2  
CB3  
10  
11  
12  
13  
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39  
40  
41  
42  
V
SS  
V
SS  
V
SS  
VSS  
DQ9  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
VDD  
DQ52  
NC  
NC  
REGE  
VSS  
• 64ms, 4,096-cycle refresh  
• LVTTL-compatible inputs and outputs  
• Serial Presence-Detect (SPD)  
100  
101  
102  
103  
104  
V
DD  
V
DD  
DQ20  
NC  
NC  
V
DD  
OPTIONS  
• Package  
MARKING  
DQ14  
DQ15  
CB0  
CB1  
V
DQ46  
DQ47  
CB4  
CB5  
V
63 RFU(CKE1) 105  
168-pin DIMM (gold)  
G
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
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79  
80  
81  
82  
83  
84  
V
SS  
106  
107  
108  
109  
110  
111  
112  
113  
SS  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
SS  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
• Frequency/CAS Latency*  
133 MHz/CL = 2  
NC  
NC  
NC  
NC  
-13E  
-133  
-10E  
(7.5ns, 133 MHz SDRAMs)  
133 MHz/CL = 3  
(7.5ns, 133 MHz SDRAMs)  
100 MHz/CL = 2  
V
DD  
V
SS  
V
DD  
VSS  
WE#  
DQMB0  
DQMB1  
S0#  
DNU  
V
A0  
A2  
A4  
A6  
A8  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
CAS#  
DQMB4  
DQMB5  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
114 RFU (S1#) 156  
(8ns, 125 MHz SDRAM)  
V
DD  
115  
116  
117  
118  
119  
120  
121  
122  
123  
124  
125  
RAS#  
V
A1  
A3  
A5  
A7  
A9  
BA0  
A11  
VDD  
157  
158  
159  
160  
161  
162  
163  
164  
165  
166  
167  
VDD  
*Device latency only; extra clock cycle required due to input register.  
SS  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
V
CK2  
NC  
WP  
SDA  
SCL  
SS  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
VSS  
CK3  
NC  
SA0  
SA1  
SA2  
KEY SDRAM COMPONENT  
TIMING PARAMETERS  
SS  
A10  
BA1  
MODULE  
MARKING GRADE LATENCY  
SPEED  
CAS  
ACCESS  
TIME  
SETUP  
TIME  
HOLD  
TIME  
V
V
DD  
DD  
CK1  
-13E  
-133  
-10E  
-7E  
-75  
-8E  
2
3
2
5.4ns  
5.4ns  
6ns  
1.5ns  
1.5ns  
2ns  
0.8ns  
0.8ns  
1ns  
CK0  
V
DD  
126 RFU(A12) 168  
VDD  
NOTE: Symbols in parentheses are not used on these modules but may be used  
for other modules in this product family. They are for reference only.  
8,16 Megx72PC133/PC100 RegisteredSDRAMDIMMs  
ZM28_3.p65–Rev. 4/00  
MicronTechnology,Inc.,reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
©1999,MicronTechnology,Inc.  
1
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