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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIMM |
| 包装说明： | SIMM-72 | 针数： | 72 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.9 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 52 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | 备用内存宽度： | 16 |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XSMA-N72 |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 32 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 72 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | SIMM |
| 封装等效代码： | SSIM72 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 2048 | 最大待机电流： | 0.014 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 1.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MT8D432G-60B | ETC |
获取价格 |
x32 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
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| MT8D432M-52B | ETC |
获取价格 |
x32 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
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| MT8D432M-60B | ETC |
获取价格 |
x32 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
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| MT8D48M-6 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| MT8D48M-7 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| MT8D48M-8 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| MT8D48ML-6 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| MT8D48ML-7 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| MT8D48ML-8 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| MT8D48N-6 | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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