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MT58V512V32FT-8.5

更新时间： 2024-09-18 15:45:03

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	537K
描述
Cache SRAM, 512KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

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MT58V512V32FT-8.5 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.63
最长访问时间：	8.5 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD (800)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

MT58V512V32FT-8.5 数据手册

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18Mb: 1 MEG x 18, 512K x 32/36

FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM

MT58L1MY18F, MT58V1MV18F,

MT58L512Y32F, MT58V512V32F,

MT58L512Y36F, MT58V512V36F

3.3V VDD, 3.3V or 2.5V I/O; 2.5V VDD, 2.5V I/O

18Mb SYNCBURST^™

SRAM

Features

Figure 1: 100-Pin TQFP

JEDEC-Standard MS-026 BHA (LQFP)

•

Fast clock and OE# access times

Single 3.3V ±± percent or 2.±V ±± percent power supply

Separate 3.3V±± percent or 2.±V ±± percent isolated

output buffer supply (VDDQ)

•

SNOOZE MODE for reduced-power standby

Common data inputs and data outputs

Individual byte write control and global write

Three chip enables for simple depth expansion and

address pipelining

•

Clock-controlled and registered addresses, data

I/Os, and control signals

•

Internally self-timed write cycle

Burst control (interleaved or linear burst)

Low capacitive bus loading

Figure 2: 165-Ball FBGA

JEDEC-Standard MO-216 (Var. CAB-1)

TQFP

Marking

Options

•

Timing (Access/Cycle/MHz)

6.8ns/7.±ns/133 MHz

7.±ns/8.8ns/113 MHz

8.±ns/10ns/100 MHz

10ns/1±ns/66 MHz

-6.8

-7.±

-8.±

-10

•

Configurations

3.3V VDD, 3.3V or 2.±V I/O

1 Meg x 18

±12K x 32

±12K x 36

MT±8L1MY18F

MT±8L±12Y32F

MT±8L±12Y36F

Part Number Example:

MT58L512Y36FT-10

2.±V VDD, 2.±V I/O

1 Meg x 18

±12K x 32

±12K x 36

MT±8V1MV18F

MT±8V±12V32F

MT±8V±12V36F

General Description

The Micron^®SyncBurst™ SRAM family employs

high-speed, low-power CMOS designs that are fabri-

cated using an advanced CMOS process.

•

Packages

100-pin TQFP

16±-ball, 13mm x 1±mm FBGA

F¹

Micron’s 18Mb SyncBurst SRAMs integrate a 1 Meg x

18, ±12K x 32, or ±12K x 36 SRAM core with advanced

synchronous peripheral circuitry and a 2-bit burst

counter. All synchronous inputs pass through registers

controlled by a positive-edge-triggered single-clock

input (CLK). The synchronous inputs include all

addresses, all data inputs, active LOW chip enable

(CE#), two additional chip enables for easy depth

expansion (CE2#, CE2), burst control inputs (ADSC#,

ADSP#, ADV#), byte write enables (BWx#), and global

write (GW#).

Operating Temperature Range

Commercial (0ºC

Industrial (-40ºC

+70ºC)

+8±ºC)

None

IT²

NOTE:

1. A Part Marking Guide for the FBGA devices can be found on

Micron’s Web site—http://www.micron.com/numberguide.

2. Contact factory for availability of Industrial Temperature

devices.

18Mb: 1 Meg x 18, 512K x 32/36, Flow-Through SyncBurst SRAM

MT58L1MY18F_16_D.fm – Rev. D, Pub. 2/03

PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE.

12 3 4 5 6 7...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MT58V512V32PF-10	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
MT58V512V32PF-5	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
MT58V512V32PF-6	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
MT58V512V32PT-10	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MT58V512V32PT-6	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MT58V512V32PT-7.5	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 4ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MT58V512V36D	MICRON	获取价格	16Mb SYNCBURST⑩ SRAM
MT58V512V36DF-7.5	ROCHESTER	获取价格	512KX36 CACHE SRAM, 4ns, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
MT58V512V36DF-7.5	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX36, 4ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
MT58V512V36DT-10	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

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