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MT58V512V32DT-7.5

更新时间: 2024-11-07 15:45:03
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 1203K
描述
512KX32 CACHE SRAM, 4ns, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

MT58V512V32DT-7.5 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:PLASTIC, TQFP-100针数:100
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
最长访问时间:4 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PQFP-G100长度:20 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
功能数量:1端子数量:100
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:1.6 mm最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
宽度:14 mmBase Number Matches:1

MT58V512V32DT-7.5 数据手册

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