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MT58V1MV18FF-10

更新时间： 2024-09-18 15:45:03
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 537K
描述
Cache SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

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MT58V1MV18FF-10 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA,针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.63
Is Samacsys：N最长访问时间：10 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PBGA-B165
JESD-609代码：e0长度：15 mm
内存密度：18874368 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：165
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX18
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：220
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.625 V最小供电电压 (Vsup)：2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：13 mm
Base Number Matches：1

MT58V1MV18FF-10 数据手册

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18Mb: 1 MEG x 18, 512K x 32/36  
FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM  
MT58L1MY18F, MT58V1MV18F,  
MT58L512Y32F, MT58V512V32F,  
MT58L512Y36F, MT58V512V36F  
3.3V VDD, 3.3V or 2.5V I/O; 2.5V VDD, 2.5V I/O  
18Mb SYNCBURST™  
SRAM  
Features  
Figure 1: 100-Pin TQFP  
JEDEC-Standard MS-026 BHA (LQFP)  
•
•
•
Fast clock and OE# access times  
Single 3.3V ±± percent or 2.±V ±± percent power supply  
Separate 3.3V±± percent or 2.±V ±± percent isolated  
output buffer supply (VDDQ)  
•
•
•
•
SNOOZE MODE for reduced-power standby  
Common data inputs and data outputs  
Individual byte write control and global write  
Three chip enables for simple depth expansion and  
address pipelining  
•
Clock-controlled and registered addresses, data  
I/Os, and control signals  
•
•
•
Internally self-timed write cycle  
Burst control (interleaved or linear burst)  
Low capacitive bus loading  
Figure 2: 165-Ball FBGA  
JEDEC-Standard MO-216 (Var. CAB-1)  
TQFP  
Marking  
Options  
•
Timing (Access/Cycle/MHz)  
6.8ns/7.±ns/133 MHz  
7.±ns/8.8ns/113 MHz  
8.±ns/10ns/100 MHz  
10ns/1±ns/66 MHz  
-6.8  
-7.±  
-8.±  
-10  
•
Configurations  
3.3V VDD, 3.3V or 2.±V I/O  
1 Meg x 18  
±12K x 32  
±12K x 36  
MT±8L1MY18F  
MT±8L±12Y32F  
MT±8L±12Y36F  
Part Number Example:  
MT58L512Y36FT-10  
2.±V VDD, 2.±V I/O  
1 Meg x 18  
±12K x 32  
±12K x 36  
MT±8V1MV18F  
MT±8V±12V32F  
MT±8V±12V36F  
General Description  
The Micron® SyncBurst™ SRAM family employs  
high-speed, low-power CMOS designs that are fabri-  
cated using an advanced CMOS process.  
•
•
Packages  
100-pin TQFP  
16±-ball, 13mm x 1±mm FBGA  
T
F1  
Micron’s 18Mb SyncBurst SRAMs integrate a 1 Meg x  
18, ±12K x 32, or ±12K x 36 SRAM core with advanced  
synchronous peripheral circuitry and a 2-bit burst  
counter. All synchronous inputs pass through registers  
controlled by a positive-edge-triggered single-clock  
input (CLK). The synchronous inputs include all  
addresses, all data inputs, active LOW chip enable  
(CE#), two additional chip enables for easy depth  
expansion (CE2#, CE2), burst control inputs (ADSC#,  
ADSP#, ADV#), byte write enables (BWx#), and global  
write (GW#).  
Operating Temperature Range  
Commercial (0ºC  
Industrial (-40ºC  
?
T
?
+70ºC)  
+8±ºC)  
None  
IT2  
A
?
T
?
A
NOTE:  
1. A Part Marking Guide for the FBGA devices can be found on  
Micron’s Web site—http://www.micron.com/numberguide.  
2. Contact factory for availability of Industrial Temperature  
devices.  
18Mb: 1 Meg x 18, 512K x 32/36, Flow-Through SyncBurst SRAM  
MT58L1MY18F_16_D.fm – Rev. D, Pub. 2/03  
©2003 Micron Technology, Inc.  
1
PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE.  
1234567...34

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MT58V1MV18FF-6.8 CYPRESS

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