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MT58V1MV18DT-7.5

更新时间: 2024-11-08 06:59:39
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 1203K
描述
1MX18 CACHE SRAM, 4ns, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

MT58V1MV18DT-7.5 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:PLASTIC, TQFP-100针数:100
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
最长访问时间:4 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PQFP-G100长度:20 mm
内存密度:18874368 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:100字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):2.625 V最小供电电压 (Vsup):2.375 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD宽度:14 mm
Base Number Matches:1

MT58V1MV18DT-7.5 数据手册

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