是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.68 | 最长访问时间: | 3.6 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | DDR SRAM |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TBGA |
封装等效代码: | BGA165,11X15,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 1.5/1.8,2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.135 A |
最小待机电流: | 2.4 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.225 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MT57W1MH18BF-3 | CYPRESS | DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
获取价格 |
|
MT57W1MH18BF-3.3 | CYPRESS | DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
获取价格 |
|
MT57W1MH18BF-4 | ROCHESTER | 1MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
获取价格 |
|
MT57W1MH18BF-5 | CYPRESS | DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
获取价格 |
|
MT57W1MH18BF-6 | ROCHESTER | 1MX18 DDR SRAM, 0.5ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
获取价格 |
|
MT57W1MH18BF-7.5 | ROCHESTER | 1MX18 DDR SRAM, 0.5ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
获取价格 |