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MT48H16M16LFB5-75LG

更新时间： 2024-01-01 15:27:40

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镁光 - MICRON		动态存储器
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MT48H16M16LFB5-75LG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA, BGA54,9X9,32	针数：	90
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.83
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.00022 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm

MT48H16M16LFB5-75LG 数据手册

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256Mb: 16 Meg x 16, 8 Meg x 32 Mobile SDRAM

Features

Mobile SDRAM

MT48H16M16LF – 4 Meg x 16 x 4 banks

MT48H8M32LF – 2 Meg x 32 x 4 banks

Table 1:

Addressing

16 Meg x 16

Features

• Fully synchronous; all signals registered on positive

edge of system clock

8 Meg x 32

2 Meg x 32 x 4

banks

4 Meg x 16 x 4

banks

Configuration

• VDD/VDDQ = 1.70–1.95V

• Internal, pipelined operation; column address can

be changed every clock cycle

Refresh count

8K (A0–A12)

4 (BA0, BA1)

512 (A0–A8)

4K (A0–A11)

4 (BA0, BA1)

512 (A0–A8)

Row addressing

Bank addressing

Column addressing

• Four internal banks for concurrent operation

• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or continuous

page

• Auto precharge, includes concurrent auto precharge

• Auto refresh and self refresh modes

• LVTTL-compatible inputs and outputs

• On-chip temperature sensor to control refresh rate

• Partial-array self refresh (PASR)

Table 2:

Key Timing Parameters

CL = CAS (READ) latency

Clock Rate

(MHz)

Data Data

Setup Hold

Access Time

• Deep power-down (DPD)

• Selectable output drive (DS)

Speed

Grade CL = 2 CL = 3 CL = 2 CL = 3 Time Time

• 64ms refresh period (8,192 rows)

-75

-8

104

100

133

125

8ns

9ns

6ns

7ns

1.5ns

2.5ns

1ns

Marking

Options

• VDD/VDDQ

– 1.8V/1.8V

• Configuration

16M16

8M32

– 16 Meg x 16 (4 Meg x 16 x 4 banks)

– 8 Meg x 32 (2 Meg x 32 x 4 banks)

• Plastic “green” package

– 54-ball VFBGA (8mm x 9mm)

– 90-ball VFBGA (8mm x 13mm)

• Timing – cycle time

– 7.5ns at CL = 3

-75

-8

– 8ns at CL = 3

• Power

– Standard IDD2P/IDD7

– Low IDD2P/IDD7

None

• Operating temperature range

– Commercial (0° to +70°C)

– Industrial (–40°C to +85°C)

• Design revision

None

Notes: 1. For continuous page burst, contact factory

for availability.

PDF:09005aef8219eeeb/Source: 09005aef8219eedd

MT48H16M16LF__1.fm - Rev F 4/07 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

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