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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | 2-1B1A, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.025 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.85 pF | 集电极-发射极最大电压： | 5 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 12000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MT3S07T_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications |
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| MT3S07U | TOSHIBA |
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TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| MT3S08T | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application |
|
| MT3S105FS | TOSHIBA |
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TRANSISTOR UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1E1A, 3 PIN, BIP RF Small Si |
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| MT3S106 | TOSHIBA |
获取价格 |
Bipolar Small-Signal Transistors |
|
| MT3S106FS | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF-UHF Low Noise Amplifier Application |
|
| MT3S107FS | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF-SHF Low Noise Amplifier Application |
|
| MT3S108FS | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF-SHF Low Noise Amplifier Application |
|
| MT3S109FS | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-1E1A, FSM, 3 PIN, |
|
| MT3S111 | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications |
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