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MT3S07T

更新时间: 2024-09-11 22:20:35
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东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 198K
描述
TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

MT3S07T 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:2-1B1A, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.36Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.025 A
基于收集器的最大容量:0.85 pF集电极-发射极最大电压:5 V
配置:SINGLE最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):12000 MHzBase Number Matches:1

MT3S07T 数据手册

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