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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.025 A | 基于收集器的最大容量： | 0.65 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 5 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.085 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 12000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MT3S07S | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| MT3S07T | TOSHIBA |
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TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| MT3S07T_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications |
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| MT3S07U | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| MT3S08T | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application |
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| MT3S105FS | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1E1A, 3 PIN, BIP RF Small Si |
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| MT3S106 | TOSHIBA |
获取价格 |
Bipolar Small-Signal Transistors |
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| MT3S106FS | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF-UHF Low Noise Amplifier Application |
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| MT3S107FS | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF-SHF Low Noise Amplifier Application |
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| MT3S108FS | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF-SHF Low Noise Amplifier Application |
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