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MT29GZ5A5BPGGA-046AIT

更新时间： 2024-09-15 17:00:35
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
398页 10984K
描述
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J, MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J, MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J, MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J

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Micron Confidential and Proprietary  
149-Ball NAND Flash with LPDDR4/LPDDR4X MCP  
Features  
NAND Flash with Mobile LPDDR4/  
LPDDR4X 149-Ball MCP  
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J, MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J,  
MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J, MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J  
Figure 1: MCP Block Diagram  
Features  
• Micron® NAND Flash and LPDDR4/LPDDR4X compo-  
nents  
• RoHS-compliant, “green” package  
• Separate NAND Flash and LPDDR4/LPDDR4X interfa-  
ces  
NAND Flash  
Device  
NAND Flash  
Interface  
NAND Flash  
Power  
• Space-saving multichip package (MCP)  
• Low-voltage operation  
• Industrial temperature range: –40°C to +85°C  
• Automotive temperature range: –40°C to +105°C  
• AEC-Q100  
LPDRAM  
Device  
LPDRAM  
Interface  
LPDRAM Power  
NAND Flash-Specific Features  
• Organization  
– Page size x8: 4352 bytes (4096 + 256 bytes)  
– Block size: 64 pages  
– Number of planes: 1  
Mobile LPDDR4/LPDDR4X-Specific Fea-  
tures (Continued)  
• VCC = 1.70–1.95V; 1.80V nominal  
• Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)  
• Programmable and on-the-fly burst lengths (BL =  
16, 32)  
• Directed per-bank refresh for concurrent bank op-  
eration and ease of command scheduling  
• On-chip temperature sensor to control self refresh  
rate  
• Partial-array self refresh (PASR)  
• Selectable output drive strength (DS)  
• Programmable VSS (ODT) termination  
Mobile LPDDR4/LPDDR4X-Specific Fea-  
tures  
• Ultra-low-voltage core and I/O power supply  
– VDD1 = 1.70–1.95V; 1.80V nominal  
– VDD2 = 1.06–1.17V; 1.1V nominal  
– VDDQ = 1.06–1.17V; 1.10V nominal  
or Low VDDQ = 0.57–0.65V; 0.60V nominal  
• Frequency range  
– 2133–10 MHz (data rate range: 4266–20 Mb/s/  
pin)  
• 16n prefetch DDR architecture  
• 8 internal banks per channel for concurrent opera-  
tion  
1. For physical part markings, see Part Num-  
bering Information.  
Note:  
• Single-data-rate CMD/ADR entry  
• Bidirectional/differential data strobe per byte lane  
CCM005-284460984-10509  
149ball_nand_lpddr4_lpddr4x_j87j.pdf – Rev. A 3/2020 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
© 2020 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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MT29GZ5A5BPGGA-046IT MICRON

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 		Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
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