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MT18VDDF12872HY-335

更新时间： 2024-11-20 00:54:55
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 217K
描述
DDR SDRAM SODIMM

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MT18VDDF12872HY-335 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.7
最长访问时间：0.7 ns最大时钟频率 (fCLK)：167 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDMA-N200
内存密度：9663676416 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72端子数量：200
字数：134217728 words字数代码：128000000
最高工作温度：65 °C最低工作温度：
组织：128MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM200,24封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
最大待机电流：0.09 A子类别：DRAMs
最大压摆率：5.22 mA标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：0.6 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MT18VDDF12872HY-335 数据手册

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1GB (x72, ECC, DR) 200-Pin DDR SDRAM SODIMM  
Features  
DDR SDRAM SODIMM  
MT18VDDF12872H – 1GB  
For component data sheets, refer to Micron’s Web site: www.micron.com  
Figure 1:  
200-Pin SODIMM (MO-224)  
Features  
• 200-pin, small-outline dual in-line memory module  
PCB height: 31.75mm (1.25in)  
(SODIMM)  
• Fast data transfer rates: PC2100, PC2700, or PC3200  
• 1GB (128 Meg x 72)  
• Supports ECC error detection and correction  
• VDD = VDDQ = +2.5V  
(-40B: VDD = VDDQ = +2.6V)  
• VDDSPD = +2.3V to +3.6V  
• 2.5V I/O (SSTL_2-compatible)  
• Internal, pipelined double data rate (DDR)  
architecture; two data accesses per clock cycle  
• Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/  
received with data—that is, source-synchronous  
data capture  
• Differential clock inputs (CK and CK#)  
• Multiple internal device banks for concurrent  
operation  
• Selectable burst lengths (BL) 2, 4, or 8  
• Auto precharge option  
Options  
Marking  
1
• Operating temperature  
– Commercial (0°C ≤ T ≤ +70°C)  
– Industrial (–40°C ≤ T ≤ +85°C)  
• Package  
None  
I
A
A
• Auto refresh and self refresh modes: 7.8125µs  
maximum average periodic refresh interval  
• Serial presence-detect (SPD) with EEPROM  
• Selectable CAS latency (CL) for maximum  
compatibility  
– 200-pin DIMM (standard)  
– 200-pin DIMM (Pb-free)  
• Memory clock, speed, CAS latency  
– 5.0ns (200 MHz), 400 MT/s, CL = 3  
– 6.0ns (167 MHz), 333 MT/s, CL = 2.5  
G
Y
-40B  
-335  
-26A  
-265  
2
• Dual rank  
• Gold edge contacts  
– 7.5ns (133 MHz), 266 MT/s, CL = 2  
– 7.5ns (133 MHz), 266 MT/s, CL = 2.5  
2
Notes: 1. Contact Micron for industrial temperature  
module offerings.  
2. Not recommended for new designs.  
Table 1:  
Key Timing Parameters  
Data Rate (MT/s)  
CL = 2.5  
Speed  
Grade  
Industry  
Nomenclature  
tRCD  
(ns)  
tRP  
(ns)  
tRC  
(ns)  
CL = 3  
CL = 2  
-40B  
-335  
-26A  
-265  
PC3200  
PC2700  
PC2100  
PC2100  
400  
–
333  
333  
266  
266  
266  
266  
266  
200  
15  
18  
20  
20  
15  
18  
20  
20  
55  
60  
65  
65  
–
–
PDF: 09005aef80e4880c/Source: 09005aef80e487d7  
DDF18C128x72H.fm - Rev. B 10/07 EN  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
1234567...10

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