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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM240,40 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 0.6 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDMA-N240 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 17179869184 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 端子数量： | 240 |
| 字数： | 268435456 words | 字数代码： | 256000000 |
| 最高工作温度： | 55 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256MX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM240,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 最大待机电流： | 0.112 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 2.136 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MT16HTF25664AY-53E | MICRON |
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DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM |
|
| MT16HTF25664AY-667 | MICRON |
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DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM |
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| MT16HTF25664AY-667E1 | MICRON |
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512MB, 1GB, 2GB, 4GB (x64, DR) 240-Pin DDR2 UDIMM |
|
| MT16HTF25664AY-80E | MICRON |
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DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM |
|
| MT16HTF6464A | MICRON |
获取价格 |
DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM |
|
| MT16HTF6464AY | MICRON |
获取价格 |
DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM |
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| MT16HTF6464AY-40E | MICRON |
获取价格 |
DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM |
|
| MT16HTF6464AY-53E | MICRON |
获取价格 |
DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM |
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| MT16HTF6464AY-667 | MICRON |
获取价格 |
DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM |
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| MT16KTF1G64AZ | MICRON |
获取价格 |
1.35V DDR3L SDRAM SODIMM |
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