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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-J2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.45 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最大击穿电压： | 36.8 V | 最小击穿电压： | 33.3 V |
| 击穿电压标称值： | 35.05 V | 最大钳位电压： | 48.4 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.38 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MSMBJ30AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| MSMBJ30AE3/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| MSMBJ30ATR | MICROSEMI |
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600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
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| MSMBJ30CA | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
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| MSMBJ30CAE3/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
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| MSMBJ30CAE3TR | MICROSEMI |
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600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
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| MSMBJ30CATR | MICROSEMI |
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600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
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| MSMBJ33A/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| MSMBJ33AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| MSMBJ33AE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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