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MSM514101AL-10SJ

更新时间： 2024-09-15 15:44:47

品牌	Logo	应用领域
冲电气 - OKI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	402K
描述
Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

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MSM514101AL-10SJ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	NIBBLE	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J20
长度：	17.15 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	NIBBLE MODE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	3.65 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSM514101AL-10TK	OKI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
MSM514101AL-10TL	OKI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
MSM514101AL-10ZS	OKI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20
MSM514101AL-70J	OKI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514101AL-70SJ	OKI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514101AL-80J	OKI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514102A-10J	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514102A-10SJ	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514102A-10TK	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
MSM514102A-70SJ	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20