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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 45 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MSM1256VM-55 | MOSAIC | Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CDXA24 |
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| MSM1256VMB-35 | MOSAIC | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, BICMOS, CDXA24 |
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| MSM1256VMB-55 | MOSAIC | Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CDXA24 |
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| MSM1256W-45 | MOSAIC | Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQCC28 |
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| MSM1256W-55 | MOSAIC | Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CQCC28 |
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| MSM1256WLM-45 | MOSAIC | Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQCC28 |
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