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MSM1256VHI-35

更新时间: 2024-02-08 10:13:35
品牌 Logo 应用领域
MOSAIC 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 179K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 35ns, BICMOS, CDIP24, 0.100 INCH, CERAMIC, VIL-24

MSM1256VHI-35 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T24
长度:30.48 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX1可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:10.7 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:BICMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:2.54 mm

MSM1256VHI-35 数据手册

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