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MSM1256THI-35

更新时间: 2024-11-27 09:01:59
品牌 Logo 应用领域
MOSAIC 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 179K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 35ns, BICMOS, CDIP24

MSM1256THI-35 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-CDIP-T24内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX1可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:BICMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MSM1256THI-35 数据手册

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