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MSM1256TH-35

更新时间: 2023-06-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
MOSAIC 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 179K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 35ns, BICMOS, CDIP24

MSM1256TH-35 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:DIP, DIP24,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:35 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:24字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.12 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MSM1256TH-35 数据手册

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