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MSM11000KMB-35

更新时间: 2023-01-02 19:37:10
品牌 Logo 应用领域
MOSAIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 339K
描述
Standard SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, CDIP28

MSM11000KMB-35 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T28
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1MX1
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MSM11000KMB-35 数据手册

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