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MSM11000KL-35

更新时间: 2024-11-27 04:27:23
品牌 Logo 应用领域
MOSAIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 339K
描述
Standard SRAM, 1MX1, 35ns, CMOS, CDIP28

MSM11000KL-35 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T28
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX1
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MSM11000KL-35 数据手册

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