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MSM11000GLMB-55

更新时间: 2024-11-26 14:43:47
品牌 Logo 应用领域
MOSAIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 339K
描述
Standard SRAM, 1MX1, 55ns, CMOS, CDFP28

MSM11000GLMB-55 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-CDFP-F28内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1MX1可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:FLAT
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MSM11000GLMB-55 数据手册

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