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MSG33003

更新时间： 2024-09-16 14:38:19

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	85K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, 0.80 X 1.20 MM, 0.52 MM HEIGHT, SSSMINI3-F1, 3 PIN

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MSG33003 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	0.8 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	标称过渡频率 (fT)：	19000 MHz
Base Number Matches：	1

MSG33003 数据手册

Transistors

MSG33003

SiGe HBT type

For low-noise RF amplifier

Unit: mm

+0.05

–0.02

+0.05

0.10

–0.02

0.33

■ Features

• Compatible between high breakdown voltage and high cutoff fre-

quency

+0.05

• Low-noise, high-gain amplification

• Suitable for high-density mounting and downsizing of the equip-

ment for Ultraminiature package

0.23

–0.02

(0.40)(0.40)

0.80 0.05

1.20 0.05

0.8 mm × 1.2 mm (height 0.52 mm)

5˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Emitter

3: Collector

100

SSSMini3-F1 Package

Collector current

I_C

P_C

T_j

°C

Collector power dissipation*

Junction temperature

Storage temperature

100

Marking Symbol: 5X

125

T_stg

−55 to +125

Note) : Copper plate at the collector is 5.0 cm²on substrate at 10 mm × 12

mm × 0.8 mm.

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Transition frequency

V_CB= 9 V, I_E= 0

V_CE= 6 V, I_B= 0

V_EB= 1 V, I_C= 0

V_CE= 3 V, I_C= 10 mA

V_CE= 3 V, I_C= 30 mA, f = 2 GHz

100

7.0

220

f_T

10.0

1.4

GHz

Forward transfer gain

S_21e²V_CE= 3 V, I_C= 30 mA, f = 2 GHz

Noise figure

C_ob

V_CE= 3 V, I_C= 10 mA, f = 2 GHz

2.0

0.8

Collector output capacitance

V_CB= 3 V, I_E= 0, f = 1 MHz

0.5

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: August 2003

SJC00294AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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