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MSD1328-RT1

更新时间： 2024-09-18 22:29:51

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乐山 - LRC		晶体放大器晶体管光电二极管
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描述
NPN Low Voltage Output Amplifiers-Surface Mount

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MSD1328-RT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	200
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

MSD1328-RT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

NPN Low Voltage Output

Amplifiers - Surface Mount

MSD1328–RT1

MSD1328–ST1

COLLECTOR

MARKING DIAGRAM

1MX

SC–59 SUFFIX

CASE 318D

x = R for RT1

S for ST1

BASE

EMITTER

M = Date Code

MAXIMUM RATINGS (T _A= 25 °C)

Rating

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

Value

Unit

Collector–Base Voltage

Collector–Emitter Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current – Continuous

Collector Current – Peak

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Vdc

500

1000

mAdc

I_C(P)

Symbol

P_D

Max

200

Unit

°C

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T _J

150

T_stg

-55 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25 °C)

Characteristic

Symbo

lMin

Max

Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 1.0 mAdc, I_B= 0)

V_(BR)CEO

–

Vdc

Collector–Base Breakdown Voltage

(I_C= 10 µAdc, I_E= 0)

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

h_FE

–

Vdc

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I_E= 10 µAdc, I_E= 0)

Collector–Base Cutoff Current

(V_CB= 25 Vdc, I_E= 0)

0.1

µAdc

DC Current Gain (Note 1)

–

MSD1328–RT1

200

300

(V_CE= 2.0 Vdc, I_C= 500 mAdc)

MSD1328–ST1

300

–

500

0.4

Collector–Emitter Saturation Voltage

(I_C= 500 mAdc, I_B= 20 mAdc)

Base–Emitter Saturation Voltage

(I_C= 500 mAdc, I_B= 50 mAdc)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Vdc

–

1.2

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, D.C. 3 2%.

MSD1328–RT1

MSD1328–ST1

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