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MSD130-12

更新时间: 2024-11-08 20:52:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 152K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 130A, 1200V V(RRM), Silicon, CASE M3, 5 PIN

MSD130-12 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-XUFM-X5针数:5
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:8.59
最小击穿电压:1200 V配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.8 VJESD-30 代码:R-XUFM-X5
最大非重复峰值正向电流:1200 A元件数量:6
相数:3端子数量:5
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:130 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

MSD130-12 数据手册

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MSD130  
Glass Passivated Three  
Phase Rectifier Bridge  
VRRM 800 to 1800V  
ID  
130 Amp  
Applications  
y
y
y
y
Three phase rectifiers for power supplies  
Rectifiers for DC motor field supplies  
Battery charger rectifiers  
Input rectifiers for variable frequency drives  
Circuit  
+
Features  
~
y
y
y
Three phase bridge rectifier  
MSD  
~
Blocking voltage: 800 to 1800V  
Heat transfer through aluminum oxide DCB  
ceramic isolated metal baseplate  
Glass passivated chip  
~
-
y
Module Type  
TYPE  
VRRM  
800V  
1200V  
1600V  
1800V  
VRSM  
900V  
1300V  
1700V  
1900V  
MSD130 – 08  
MSD130 – 12  
MSD130 – 16  
MSD130 – 18  
Maximum Ratings  
Symbol  
Conditions  
Tc=100℃  
Values  
Units  
ID  
130  
A
IFSM  
i2t  
1200  
7200  
A
A2s  
V
t=10mS Tvj =45℃  
t=10mS Tvj =45℃  
a.c.50Hz;r.m.s.;1min  
Visol  
Tvj  
3000  
-40 to 150  
-40 to 125  
5±15%  
5±15%  
230  
Tstg  
Mt  
To terminals(M6)  
To heatsink(M6)  
Module  
Nm  
Ms  
Nm  
g
Weight  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Rth(j-c)  
Conditions  
Per diode  
Values  
0.9  
Units  
/W  
Rth(c-s)  
Module  
0.03  
/W  
Electrical Characteristics  
Symbol  
Conditions  
Values  
Units  
VFM  
1.8  
V
T=25IFM =300A  
Tvj =25VRD=VRRM  
0.3  
5  
mA  
mA  
IRD  
Tvj =150VRD=VRRM  
MSD130-Rev 1  
Dec, 2009  
www.microsemi.com  
1/3  

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