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MSC81111

更新时间： 2024-11-06 10:46:03

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	17K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MSC81111 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	基于收集器的最大容量：	6.5 pF
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	21.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MSC81111 数据手册

MSC81111

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The MSC81111 is Designed for Class

"C" Amplifier Applicatioons from 0.4 to

1.2 GHz, Supplied in Common Base

Package.

PACKAGE STYLE HLP-1

Inches

Millimeters

Dim:

Min

Max

Min

Max

20.6

5.97

4.58

3.17

1.65

1.39

3.42

0.15

6.98

6.09

3.42

14.5

0.790

0.225

0.144

0.115

0.055

0.045

0.115

0.003

0.225

0.220

0.125

0.552

0.810

0.235

0.180

0.125

0.065

0.055

0.135

0.006

0.275

0.240

0.135

0.572

20.07

5.72

3.66

2.93

1.40

1.15

2.93

0.08

5.72

5.59

3.18

14.03

MAXIMUM RATINGS

600 mA

35 V

I_C

V_CB

P_DISS

T_J

21.8 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

8 ^OC/W

T_STG

1 = Emitter

2 = Collector

3 = Base

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CER

TEST CONDITIONS

R_BE= 10Ω

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 5.0 mA

I_C= 1.0 mA

V_CB= 28 V

I_E= 1.0 mA

V_CE= 5.0 V

BV_CBO

I_CBO

1.0

3.5

BV_EBO

h_FE

I_C= 200 mA

120

6.5

---

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 1.0 GHz

C_OB

5.0

6.6

P_out

η_C

G_P

V_CC= 28 V

P_in= 500 mW

11.2

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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