MSC80064

更新时间： 2024-11-14 04:14:35

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RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS

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MSC80064 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CXFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	2.5 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	O-CXFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.44 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MSC80064 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MSC80064

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

GENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS

Features

2.0 GHz

CLASS A LINEAR OPERATION

20:1 VSWR CAPABILITY @ RATED CONDITIONS

P_OUT= 20.5 dBm MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MSC80064 is a hermetically sealed NPN power

transistor specifically designed for Class A linear

applications requiring high gain and high output

power at the 1.0 dB compression point.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

P_DISS

Parameter

Value

---

100

Unit

Power Dissipation

Device Bias Current

(see Safe Area)

I_C

V_CE

Collector-Supply Bias Voltage*

Junction Temperature

200

°C

T_STG

Storage Temperature

- 65 to +200

Thermal Data

R_TH(J-C)

Junction-case Thermal Resistance*

°C/W

*Applies only to RF amplifier operation.

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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