MSC8004

更新时间： 2024-11-14 04:14:35

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ASI		晶体射频场效应晶体管放大器局域网高功率电源
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HIGH POWER GaAs FET

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MSC8004 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

MSC8004 数据手册

MSC8004

HIGH POWER GaAs FET

FET PACKAGE TYPE 30

FEATURES INCLUDE:

•

High Output Power:

P1dB = 1.6 W ^(TYP)@ 12 GHz

High power gain:

GLP = 5 dB ^(TYP)@ 12 GHz

High power added efficiency:

Hadd = 18% ^(TYP)@ 12 GHz

APPLICATIONS:

•

S to Ku Band Power Amplifiers

TRANS1.SYM

ELECTRICAL SPECIFICATIONS ^T_A^{= 25}^O

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

SATURATED DRAIN CURRENT

I_DDS

850

-2

1100

-3

1400

-5

V_DS= 3.0 V

V_GS= 0 V

GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE

V_{GS (off)}

V_DS= 3.0 V

I_D= 1.0 mA

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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