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MSC74518

更新时间： 2024-09-14 04:14:35

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ASI		晶体晶体管
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1页	177K
描述
NPN RF POWER TRANSISTOR

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MSC74518 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MSC74518 数据手册

MSC74518

NPN RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE 400 2L FLG (Style 1)

DESCRIPTION:

The ASI MSC74518 is a Common

Base Device Designed for Class C

Applications in the 1.6 - 1.8 GHz

bands.

FEATURES INCLUDE:

• Input/Output Matching

• Gold Metallization

• Hermetically Sealed Package

• Emitter Ballasting

MAXIMUM RATINGS

1.0 A

I_C

40 V

V_CBO

P_DISS

T_J

20 W @ T_C= 25 ^OC

-55 ^OC to+200 ^OC

9.0 ^OC/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 2.0 mA

V_CB= 28 V

V_CE= 5 V

BV_EBO

I_CBO

3.5

0.5

---

h_FE

I_C= 0.4 A

200

P_G

V_CC= 20 V P_IN= 1.0 W

f = 1.7 - 2.0 GHz

Duty Cycle = 10%

6.6

η_C

Pulse Width = 100 µS

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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