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MSC50DC70HJ

更新时间: 2023-12-18 00:00:00
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美高森美 - MICROSEMI 局域网测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 558K
描述
Bridge Rectifier Diode,

MSC50DC70HJ 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PUFM-X4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON CARBIDE
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.8 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X4元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:50 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压:700 V最大反向电流:200 µA
反向测试电压:700 V表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

MSC50DC70HJ 数据手册

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MSC50DC70HJ SiC Diode Full Bridge Power Module  
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Product Overview  
This section shows the product overview of the MSC50DC70HJ device.  
All ratings at Tj = 25°C, unless otherwise specified.  
Caution: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Proper handling procedures should be  
followed.  
MSCC-0344-DS-01029-1.0-0619 MSC50DC70HJ Datasheet Revision 1.0  
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