MSC3000

更新时间： 2024-01-06 14:41:04

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MSC3000 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	端子面层：	TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MSC3000 数据手册

MSC3000

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .250 2L FLG (B)

The ASI MSC3000 is Designed for

general purpose Amplifier Applications

up to 3500 MHz.

.100 X 45°

Ø D

.088 x 45°

CHAMFER

FEATURES:

• P_OUT= 5.0 W Typ. at 3 GHz

• Common Base Configuration

• Omnigold™ Metellization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

MAXIMUM RATINGS

DIM

.095 / 2.41

1.050 / 26.67

.245 / 6.22

.120 / 3.05

.552 / 14.02

.790 / 20.07

.105 / 2.67

100 mA

I_C

V_CC

P_DISS

T_J

.255 / 6.48

.140 / 3.56

.572 / 14.53

.810 / 20.57

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.072 / 1.83

.130 / 3.30

.210 / 5.33

30 V

2.5 W @ T_C≤ 85 °C

-65 °C to +200 °C

.003 / 0.08

.052 / 1.32

.120 / 3.05

-65 °C to +200 °C

45 °C/W

T_STG

1 = COLLECTOR 2 = BASE 3 = EMITTER

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CER

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 5.0 mA

I_C= 1.0 mA

I_E= 1.0 mA

R_BE= 10Ω

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

3.5

_CB= 28 V

_CE= 5.0 V

250

120

µA

---

I_C= 500 mA

P_OUT= 0.5 W

h_FE

V_CB= 28 V

V_CC= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 3.0 GHz

2.5

C_OB

7.0

P_G

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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