MSC1550M

更新时间： 2024-02-13 15:20:53

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ADPOW		晶体射频双极晶体管微波电子放大器航空局域网
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS

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MSC1550M 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.13	最大集电极电流 (IC)：	40 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1350 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1090 MHz
Base Number Matches：	1

MSC1550M 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MSC1550M

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

AVIONICS APPLICATIONS0

Features

1025-1150 MHz

25:1 VSWR CAPABILITY

P_OUT= 550 WATTS

G_P= 5.6 dB MINIMUM

GOLD METALLIZATION

INPUT/OUTPUT MATCHING

COMMON BASE CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MSC1550M is a high power pulsed transistor specifically designed

for IFF avionics applications. It is designed for operation under short

pulse width and low duty cycle pulse conditions and is capable of

withstanding a minimum 25:1 load mismatch at rated RF conditions.

Internal impedance matching and gold metallization ensure high

product reliability and consistency.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

P_DISS

Parameter

Value

1350

Unit

Power Dissipation*

Device Current*

(T_C£ 80°C)

I_C

V_CC

T_J

Collector - Base Voltage*

Junction Temperature

Storage Temperature

+250

°C

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Junction-case Thermal Resistance*

0.09

°C/W

*Applies only to rated RF amplifier operation

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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