MSC1300M

更新时间： 2024-01-12 01:33:06

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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MSC1300M 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	18.8 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
端子面层：	TIN LEAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1090 MHz
Base Number Matches：	1

MSC1300M 数据手册

MSC1300M

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .400 2NL FLG

The ASI MSC1300M is a high power

Class C, common Base transistor,

Designed for IFF/DME/TACAN

Applications.

.025 x 45°

4x .062 x 45°

ØD

FEATURES:

• Internal Input/Output Matching Networks

• P_G= 6.3 dB at 300 W/1090 MHz

• Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches mm

MAXIMUM

inches mm

DIM

.020 / 0.51

.100 / 2.54

.376 / 9.55

.110 / 2.79

.395 / 10.03

.030 / 0.76

MAXIMUM RATINGS

.396 / 10.06

.130 / 3.30

.407 / 10.34

20 A

I_C

V_CC

P_DISS

T_J

.193 / 4.90

.450 / 11.43

.125 / 3.18

55 V

.640 / 16.26

.890 / 22.61

.395 / 10.03

.004 / 0.10

.052 / 1.32

.118 / 3.00

.660 / 16.76

.910 / 23.11

.415 / 10.54

.007 / 0.18

.072 / 1.83

.131 / 3.33

.230 / 5.84

625 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +250 °C

-65 °C to +200 °C

0.20 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 10 mA

I_C= 25 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 50 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 Ω

3.5

---

_CE= 5.0 V

I_C= 1.0 A

120

h_FE

6.3

6.7

G_P

V_CC= 50 V

P_OUT= 300 W

f = 1090 MHz

η_C

Pulse Width = 10 µsec, Duty Cycle 10 %

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

1/1

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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