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MS91000RKXI-30

更新时间: 2024-02-29 05:51:59
品牌 Logo 应用领域
MOSAIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 235K
描述
SRAM Module, 1MX9, 30ns, CMOS

MS91000RKXI-30 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:, SIP44,.2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:30 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-609代码:e0
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:9端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:SIP44,.2并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0225 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:1.125 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

MS91000RKXI-30 数据手册

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