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MS8256SCMB-12

更新时间: 2023-01-02 17:58:31
品牌 Logo 应用领域
MOSAIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 245K
描述
SRAM Module, 256KX8, 120ns, CMOS

MS8256SCMB-12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:DIP, DIP32,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T32
JESD-609代码:e0内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
端子数量:32字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)最大待机电流:0.004 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.082 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MS8256SCMB-12 数据手册

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