是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | , SIP32,.2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.58 |
最长访问时间: | 150 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XSMA-T32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装等效代码: | SIP32,.2 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.016 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.11 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MS8256RKXA-85 | MOSAIC |
获取价格 |
SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS |
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MS8256RKXAI-10 | MOSAIC |
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SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS |
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MS8256RKXAI-12 | MOSAIC |
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SRAM Module, 256KX8, 120ns, CMOS |
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MS8256RKXAI-15 | MOSAIC |
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SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS |
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MS8256RKXAI-85 | MOSAIC |
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SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS |
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MS8256RKXAL-10 | MOSAIC |
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SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS |
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MS8256RKXAL-12 | MOSAIC |
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SRAM Module, 256KX8, 120ns, CMOS |
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MS8256RKXAL-15 | MOSAIC |
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SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS |
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MS8256RKXALI-12 | MOSAIC |
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SRAM Module, 256KX8, 120ns, CMOS |
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MS8256RKXALI-85 | MOSAIC |
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SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS |
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