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MS8250-48

更新时间： 2024-09-27 10:46:19

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美高森美 - MICROSEMI		肖特基二极管
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2页	127K
描述
SCHOTTKY DIODES TM Silicon Low Barrier

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MS8250-48 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-CEMW-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	0.24 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY TO MILLIMETER WAVE BAND	JESD-30 代码：	O-CEMW-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	MICROWAVE
最大功率耗散：	0.05 W	子类别：	Microwave Mixer Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
肖特基势垒类型：	LOW BARRIER	Base Number Matches：	1

MS8250-48 数据手册

SCHOTTKY DIODES

Silicon Low Barrier

MS8250 – 48

Features

●

For Detector and Mixer Applications

●

Vertical Offset Contact

●

Low Capacitance Package (0.09 pF)

●

Available as Bondable Chips

●

Priced for Commercial Applications

Specifications

@ 25°C

●

V_F(1 mA): 0.39 V Max.

V_B(10 A): 3 V Min.

I_R(1 V): 100 nA Max.

R_S(1 mA): 8  Typ.

Description

●

The MS8520-48 is low barrier, N-type, silicon Schottky

diode designed for applications in microwave mixers and

detectors at frequencies from below 100 MHz to

beyond 40 GHz.

C_T(0 V, 1 MHz): 0.24 pF Max., 0.20 pF Typ.

These Schottky diodes are packaged in the newly

developed ultra-low capacitance M48 package that has

shown improved sensitivity in Doppler Transceiver

mixer/detector mounts at 24 GHz.

Maximum Ratings

Incident Power

+20 dBm

3 V

@ 25°C

Reverse Voltage

Microsemi’s vertical offset chip bond pad design

allows rotational symmetry in a waveguide mount and

rugged bonding to the top contact without damage to the

junction. MSC’s semiconductor process also results in

a low 1/F noise device with low specified R_Sand C_J

Forward Current

Power Dissipation

10 mA

50 mW

25°C

Operating

Temperature

-65°C to +150°C

Storage emperature

values.

Microsemi

Rev: 2009-01-19

Microwave Products

75 Technology Drive, Lowell, MA. 01851, 978-442-5600, Fax: 978-937-3748

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