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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | DIP, DIP60,.6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.65 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | CONFIGURABLE AS 64K X 32 |
| 备用内存宽度： | 16 | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T60 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP60,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0008 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.8 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MS3264FKXI-55 | MOSAIC | SRAM Module, 256KX8, 55ns, CMOS |
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| MS3264FKXL-25 | MOSAIC | SRAM Module, 256KX8, 25ns, CMOS |
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| MS3264FKXL-35 | MOSAIC | SRAM Module, 256KX8, 35ns, CMOS |
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| MS3264FKXL-45 | MOSAIC | SRAM Module, 256KX8, 45ns, CMOS |
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| MS3264FKXL-55 | MOSAIC | SRAM Module, 256KX8, 55ns, CMOS |
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| MS3264FKXLI-55 | MOSAIC | SRAM Module, 256KX8, 55ns, CMOS |
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