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MS2602

更新时间： 2024-01-20 10:18:34

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	109K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, M218, 4 PIN

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MS2602 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.13	外壳连接：	BASE
配置：	SINGLE	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS2602 数据手册

MS2602

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

S-BAND RADAR APPLICATION

Features

•

2.7 – 3.1 GHz

30 VOLTS

_OUT= 3.0 WATTS

G_P= 5.7 dB MINIMUM

GOLD METALIZATION

INPUT/OUTPUT MATCHING

COMMON BASE CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS2602 is a silicon NPN bipolar transistor designed

for pulsed S-Band radar applications.

The MS2602 is capable of operation over a wide range of

pulse widths and duty cycles. Internal impedance

matching and gold metalization provide consistent

broadband performance and long term reliability.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CC

Parameter

Value

Unit

Collector – Supply Voltage

Power Dissipation

Device Current*

P_DISS

I_C

T_J

0.9

200

-65 to +200

Junction Temperature

Storage Temperature

ºC

T_STG

ºC

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

6.5

°C/W

12-05-2002

12 3

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与MS2602相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MS2603	MICROSEMI	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, M218, 2 PIN	获取价格
MS2603	ADPOW	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.400 INCH, HERMETIC	获取价格
MS2604	ADPOW	RF& MICROWAVE TRANSISTORS S BAND RADAR APPLICATIONS	获取价格
MS2607	MICROSEMI	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, M226, 2 PIN	获取价格
MS2608	ASI	NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR	获取价格
MS2609	ADPOW	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.400 INCH, HERMETIC	获取价格