是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.66 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 80 V | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MS18F_12 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | |
MS18F_R1_00001 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | |
MS18F_R2_00001 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | |
MS18N100HGC0 | MASPOWER |
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TO-247 | |
MS18R1622AH0-CK8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX18, 45ns, CMOS, SORIMM-160 | |
MS18R1622AH0-CM8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX18, 40ns, CMOS, SORIMM-160 | |
MS18R1622AH0-CM9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX18, 35ns, CMOS, SORIMM-160 | |
MS18R1622DH0-CK8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX18, 45ns, CMOS, SORIMM-160 | |
MS18R1622DH0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX18, 40ns, CMOS, SORIMM-160 | |
MS18R1622DH0-CM9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX18, 35ns, CMOS, SORIMM-160 |