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MS1642P

更新时间： 2024-09-25 03:48:23

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管射频微波
页数	文件大小	规格书
3页	82K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF, UHF GENERAL PURPOSE

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MS1642P 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	DISK BUTTON, O-PRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	WITH EMITTER BALLAST RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	基于收集器的最大容量：	12 pF
集电极-发射极最大电压：	33 V	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-PRDB-F4	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

MS1642P 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1642P

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

VHF, UHF GENERAL PURPOSE

Features

400 MHz

GOLD METALLIZATION

P_OUT= 10 W MINIMUM

G_P= 12 dB MINIMUM

INFINITE VSWR CAPABILITY

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1642 is a gold metallized silicon NPN transistor

designed for general purpose amplifier applications in

the VHF and UHF frequency bands. Diffused emitter

ballast resistors and computer controlled wirebonding

techniques ensure maximum device reliability and

consistency.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

P_DISS

Parameter

Value

Unit

Power Dissipation*

Device Current*

I_C(max)

1.5

T_STG

V_CBO

V_CEO

V_EBO

Storage Temperature

-65 to +150

ºC

Collector – Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

4.0

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

6.4

°C/W

*Applies only to rated RF amplifier operation

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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